第三代半导体碳化硅赋能厨电革新——国芯微电子引领电磁炉能效革命

　　一、国芯微电子碳化硅赋能应用成效显著

　　全球首款搭载碳化硅功率器件的家用电磁炉突破技术限制横空出世。作为SiC功率器件领域的新锐——国芯微电子（广东）有限公司发布了第一代搭载碳化硅功率器件的电磁炉。该款电磁炉经国内权威检测机构认证，以>90%的热效率达到国家电磁炉厨电领域一级能效标准（GB 21456-2014/GB 21456-2024：家用和类似用途厨房电器能效限定值机能效等级），突破了一直困扰电磁炉技术发展的能效限制，并成功获得首批商用订单。这标志着厨电行业正式迈入第三代半导体应用新纪元。

　　图1 全球首款经济型一级能效电磁炉

　　二、国芯微电子碳化硅电磁炉具备的技术优势与市场价值

　　1、能效标杆：采用专利SiC MOSFET封装技术，优化电磁炉电路拓扑，突破传统IGBT方案瓶颈，达到90.5%以上，热效率提升5%以上；

　　2、性能升级：瞬时功率响应速度提升1倍以上，支持3500W以下多段精准控温。

　　图2 国芯微SIC MOSFET 为电磁炉行业赋能提升

　　3、商业落地：已与电磁炉行业多家巨头企业达成了战略合作，首批订单已进入量产阶段。

　　图2 国芯微电子碳化硅方案电磁炉

　　市场价值：

　　● 一级能效，享受国家20%能效补贴；

　　● 热流道设计，降低共振，实现静音；

　　● 模拟燃气灶台，低功率连续，不熄火；

　　● SiC赋能耐温设计，半密闭腔体实现结构防蚊虫蟑螂；

　　● 高频连续，全金属适配；

　　● 整机寿命更长，故障率下降30%；

　　● 符合欧盟ERP2025能效新规，具备出口竞争优势；

　　三、最经济的一级能效电磁加热方案是怎么实现的？

　　对比传统IGBT方案电磁炉，国芯微电子打造的全球首发“最经济的一级能效电磁炉方案”主要体现在以下技术方面：

　　1）碳化硅替换IGBT，降低能耗，提升能效。

　　图3 IGBT和SiC MOS对比

　　2）电路拓扑优化，降低损耗，提升能效。

　　图4 电磁炉主电路拓扑

　　3）最简单的三级能效的铝线圈盘，经济有效地实现整机一级能效。

　　图5 高能效密集的高能效铜线圈与三级能效铝线圈对比

　　四、展望

　　"这将会是SiC器件在消费电子领域规模化应用的里程碑"——国芯微电子总经理黄统华表示。

　　国芯微电子（广东）有限公司，是一家专注于第三代功率半导体产品研究、开发、生产及销售的高科技型企业。国芯微电子以用第三代半导体的芯片封测为下游应用领域赋能为己任，专注于第三代半导体功率芯片的设计、封测制造和下游电子应用方案设计，致力于助力佛山市家电以及工业电源领域实现产业升级的工作。

　　此次全球首款经济版一级能效电磁炉的成功开发，标志着第三代半导体功率芯片往消费电子领域迈出的重要一步，未来国芯微电子将会持续在家电、工业电源（UPS、户储、电焊机、光伏逆变器、充电桩）等领域投入更多的应用创新。

　　国芯微电子（广东）有限公司简介

　　国芯微电子（广东）有限公司于 2023 年应运而生，总部位于广东省佛山市南海区，专注于第三代半导体功率器件领域，以创新驱动产业升级，致力于成为行业发展的引领者。

　　公司是一家集第三代功率半导体芯片及模块研究、开发、生产、销售于一体的高科技企业。公司汇聚了行业内顶尖的研发与技术人才，凭借先进的研发理念和精湛的工艺技术，深度钻研碳化硅功率器件，已成功研发出一系列性能卓越的产品。例如，公司研发的碳化硅 MOSFET 产品，在开关速度上比传统硅基器件提升 10 倍以上，有效降低能耗，为客户的产品赋予更强的市场竞争力。

　　公司定位为连接第三代半导体碳化硅功率器件上游芯片研发与下游应用市场的关键纽带，国芯微电子充分发挥全产业链协同配套优势。依托佛山完善的制造业生态，公司与上下游企业紧密合作，实现资源共享、优势互补，加速碳化硅器件的研发与应用推广。通过持续的技术创新与产品优化，公司不断拓展碳化硅器件的应用边界，从传统的家电制造领域到新能源汽车、光伏储能等新兴产业，为推动相关产业升级贡献核心力量，引领行业迈向更高效、更绿色的未来。

　　公司秉持 “高品质制造、高品质服务” 的理念，不仅为客户提供性能优异的产品，更以专业的技术团队和丰富的行业经验，为客户量身定制全方位的解决方案，助力客户在激烈的市场竞争中脱颖而出，实现稳定、快速的发展。目前，公司已与多家行业头部企业达成深度合作，在工业控制、新能源等领域成功助力客户完成产品迭代升级，赢得了客户的高度认可。